1 特性
高性能静态 CMOS 技术
高达 150MHz（6.67ns 周期时间）
1.9V/1.8V 内核、3.3V I/O 设计
高性能 32 位 CPU (TMS320C28x)
IEEE 754 单精度浮点单元 (FPU)（仅限F2833x）
16 × 16 和 32 × 32 MAC 操作– 16 × 16 双 MAC
哈佛 (Harvard) 总线架构
快速中断响应和处理
– 统一存储器编程模型
高效代码（使用 C/C++ 和汇编语言）
6 通道 DMA 控制器（用于 ADC、McBSP、ePWM、XINTF 和 SARAM）
16 位或 32 位外部接口 (XINTF)
地址覆盖超过 2M × 16
片上存储器
F28335、F28333、F28235：256K × 16 闪存、34K × 16 SARAM– F28334、F28234：128K × 16 闪存、34K × 16 SARAM– F28332、F28232：64K × 16 闪存、26K × 16 SARAM
1K × 16 OTP ROM• 引导 ROM (8K × 16)
具有软件启动模式（通过 SCI、SPI、CAN、I2C、McBSP、XINTF 和并行 I/O）
标准数学表• 时钟和系统控制
片上振荡器– 看门狗计时器模块
可以将 GPIO0 转 GPIO63 引脚连接到八个外部内核中断之中的一个
可支持全部 58 个外设中断的外设中断扩展 (PIE) 块
128 位安全密钥/锁– 保护闪存/OTP/RAM 块– 防止固件逆向工程
增强型控制外设
高达 18 PWM 的输出
多达 6 个 HRPWM 输出，MEP 分辨率高达150ps
多达 6 个事件捕获输入
多达 2 个正交编码器接口
多达 8 个 32 位计时器（6 个用于 eCAP，2 个用于 eQEP）
多达 9 个 16 位计时器
（6 个用于 ePWM，3 个用于 XINTCTR）
三个 32 位 CPU 计时器
串行端口外设
多达 2 个 CAN 模块
多达 3 个 SCI (UART) 模块
多达 2 个 McBSP 模块（可配置为 SPI）
一个 SPI 模块
1 条内部集成电路 (I2C) 总线
12 位 ADC、16 通道– 80ns 转换速率
2 × 8 通道输入多路复用器– 两个采样保持
单个/同步转换– 内部或外部基准
多达 88 个具有输入滤波功能且可单独编程的多路复用 GPIO 引脚
支持 JTAG 边界扫描
IEEE 标准 1149.1-1990 标准测试访问端口和边界扫描架构
高级调试特性
分析和断点功能
借助硬件的实时调试
开发支持包括– ANSI C/C++ 编译器/汇编器/连接器
Code Composer Studio™ IDE– DSP/BIOS™ 和 SYS/BIOS
数字电机控制和数字电源软件库
低功耗模式，节省能耗– 支持闲置、待机、停机模式
禁用单独的外设时钟
字节序：小端字节序
封装选项：
无铅，绿色环保封装
176 焊球塑料球栅阵列 (BGA) [ZJZ]
179 焊球 MicroStar BGA™ [ZHH]
179 焊球全新细间距球栅阵列 (nFBGA) [ZAY]
176 引脚薄型四方扁平封装 (LQFP) [PGF]
176 引脚热增强型薄型四方扁平封装 (HLQFP)[PTP]
温度选项：
A：–40°C 至 85°C（PGF、ZHH、ZAY、ZJZ）
S：–40°C 至 125°C（PTP、ZJZ）
Q：–40°C 至 125°C（PTP、ZJZ）
（通过针对汽车应用的 AEC Q100 认证）
