1 特性
• 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准：器件温度等级 1
• -40°C 至 +150°C 的结温范围
• HS 引脚上的负电压处理能力：-18V
• 可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET
• 最大引导电压：120V
• 最大 VDD 电压：20V
• 片上 0.65V V F、0.65Ω RD 自举二极管
• 22ns 传播延迟时间
• 3A 灌电流，3A 拉电流输出
• 1000pF 负载时上升时间为 8ns，下降时间为 7ns
• 1ns 延迟匹配
• 用于高侧和低侧驱动器的欠压锁定功能
• 采用 8 引脚 PowerPAD™ SOIC-8 (DDA) 封装2
应用
• 汽车直流/直流转换器和 OBC
• 两轮车/三轮车牵引驱动器和电池包
• 电动助力转向 (EPS)
• 无线充电
• 智能玻璃模块
3 说明
UCC27201A-Q1 高频 N 沟道 MOSFET 驱动器由120V 自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可更大限度提高控制灵活性。
这可在半桥式、全桥式、两开关正激式和有源箝位正激式转换器中提供 N 沟道 MOSFET 控制。
低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了 1ns 的延迟匹配。
UCC27201A-Q1 的 HS 引脚最高能够承受 -18V 电压，这使得其在电源噪声环境下的性能得到了改善。
由于在芯片上集成了一个自举二极管，因此无需采用外部分立式二极管。
高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能，如果驱动电压低于规定的阈值，则强制将输出置为低电平。
UCC27201A-Q1 具有 TTL 兼容阈值，并且采用带有散热焊盘的 8 引脚 SOIC 封装。
