核心参数
●容量
-32GB（具体容量可能因型号后缀或批次不同略有差异）。
●接口标准
-eMMC 5.1 规范，兼容 HS400 高速模式。
●总线速度
-HS400 模式：最高 200MHz（DDR），理论接口速度 400MB/s。
●NAND 类型
-3D TLC NAND（三层单元闪存），提供较高密度和成本效益。
●工作电压
-VCC (核心电压)：3.3V ±10%_-VCCQ (I/O 电压)：1.8V 或 3.3V（取决于配置）。
●封装形式
BGA-153（11.5mm × 13mm），适用于紧凑型嵌入式设计。
●温度范围
标准商用级：0°C 至 +70°C
●工业级扩展（部分型号）：-40°C 至 +85°C（需确认具体后缀）。
●性能等级
-典型 随机读取性能：约 3500 IOPS
-典型 随机写入性能：约 1500 IOPS
●顺序读写速度取决于主控优化。
●寿命与可靠性
●支持 磨损均衡（Wear Leveling）、坏块管理（BBM） 和 纠错码（ECC）。
●典型耐久性：根据 TLC 特性设计，适用于中等写入负载场景。
应用场景
●消费电子：智能电视、机顶盒、车载信息娱乐系统。
●移动设备：中端智能手机、平板电脑。
●工业设备：工控机、物联网终端。
