核心参数
□容量
-16GB（具体容量可能因型号后缀或配置不同有所差异）。
□接口标准
-eMMC 5.1 规范，支持 HS400 高速模式，兼容 eMMC 5.0/4.5。
□总线速度
-HS400 模式：最高 200MHz（DDR），理论接口速度 400MB/s；
-HS200 模式：最高 200MHz（SDR），理论速度 200MB/s。
□NAND 类型
-3D TLC NAND（三层单元闪存），提供高密度存储和成本优化。
□工作电压
-VCC (核心电压)：3.3V ±10%_-VCCQ (I/O 电压)：1.8V 或 3.3V（取决于主控配置）。
□封装形式
-BGA-153（11.5mm × 13mm），紧凑型设计，适合空间受限的嵌入式设备。
□温度范围
-工业级：-25°C 至 +85°C（后缀 AAT 通常表示扩展温度支持）。
□性能指标
-顺序读取速度：最高约 250MB/s（实际速度依赖主控优化）；
-顺序写入速度：最高约 120MB/s；
-随机读写性能：数千 IOPS（具体值需参考数据手册）。
□寿命与可靠性
-支持 损耗均衡（Wear Leveling）、坏块管理（Bad Block Management） 及 ECC 纠错；
-耐久性：适用于中等写入负载场景（TLC 典型擦写次数约 500-3000 P/E cycles）。
应用场景
□消费电子：智能电视、机顶盒、智能音箱；
□移动设备：中低端智能手机、平板电脑；
□工业与车载：工控设备、车载系统、IoT 终端；
□边缘计算：低功耗边缘节点、网关设备。
